三星生产什么样的闪存，也就决定了SSD市场未来的技术走向。在圣何塞的TechDay活动中，三星阐释了下一步的闪存演进路线图。

首先是现款产品的迭代更新。规划中的新品有EVOPlus、PMa、PMa（数据中心用）和PM，分别是针对EVO、PM、PM和PMa的升级改款。

其中，EVOPlus和PMa容量配置不变（GB~2TB），其依然采用64层3DTLC闪存，不过顺序写入速度将获得提高，PMa同时在随机速度上也有改良。当前，1TBEVO的顺序写入是0MB/s，GB是MB/s。

PM相较PMa，随机读写、顺序写入将翻番，顺序读取预计提升50%。

接下来是QLC产品线。

企业级（含OEM）产品的命名规则是，MLC使用SM，TLC使用PM，QLC将采用全新的BM开头型号。三星在会上公布了四款QLCSSD，包括BM、BM9A3（企业级NVMe）、BM（SAS接口）和BM（消费级）。

消费级的QLC新品为QVO和QVO，前者是SATA3接口，后者是M.2NVMe接口。

闪存芯片本身的推进方面，三星预告明年二季度会拿出Gb的QLC颗粒，号称比对手的延迟低。

最后，三星公开了第二代Z-SSD高端产品，用以对标Intel傲腾，包括SZ和SZ两款，支持PCIe4.0，顺序读取高达12GB/s，其中SZ展示了一款4TB容量。