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--新型TMR传感器配合0.4mm磁极距磁栅的解决方案支持高精度线性位移测量，具有出色的温度稳定性和抗杂散磁场干扰能力，在消费和工业应用中可实现的微米级的测量精度

德国纽伦堡和中国张家港市年6月11日/美通社/--在Sensor+Test国际传感器及测量测试展览会上，专业的隧道磁阻(TMR)磁传感器领先制造商多维科技有限公司(MultiDimensionTechnologyCo.,Ltd.,MDT)启动了TMR微米级高精度磁栅传感器的全球销售业务。

TMR磁栅传感器用于消费电子和工业应用，包括相机自动对焦和变焦、微米级位移测量、线性和角度位置测量、和磁编码器。它与磁极距为0.4mm的多极磁栅配合使用。当传感器沿磁栅移动时，其两个推挽式TMR半桥结构输出相位差为90°的正弦和余弦信号。信号的周期对应于相邻的一对南北磁极的总长度，为0.8mm。

凭借MDT独特的TMR技术，TMR具有优异的信号灵敏度和低噪声特性，其差分梯度式的传感器设计实现了对杂散磁场信号的抗干扰能力。TMR支持温度补偿的高精度测量方案，测量位置由具有相同温度特性的正弦和余弦信号计算得出，可有效地抑制温度对测量精度的影响。MDT同时提供0.4mm磁极距的高精度磁栅，以配合TMR使用，磁栅的长度和宽度可以根据应用需求进行定制。TMR与磁栅的配合使用，在典型应用中可以实现±1微米以内的重复定位精度。

TMR的关键特性：

在任意的位移范围内实现一致的微米级测量精度稳定的信号输出，对机械定位和测量气隙有较大容差出色的抗杂散磁场干扰的能力支持温度补偿的精准测量方案超薄DFN4L封装（1.32×0.66×0.3mm），适用于智能手机摄像头模组等空间受限的应用符合RoHS/REACH标准

TMR传感器及相应的磁栅可通过得捷电子Digi-key和MDT的在线商店订购。有关批量定价、交付和技术指标的更多信息，请联系MDT全球销售业务，或访问MDT在年6月11日至13日于德国纽伦堡参展的Sensor+Test国际传感器及测量测试展览会的1-号展位。

MDT简介多维科技创立于年，总部设在中国江苏省张家港，在中国北京、上海、成都、宁波，日本东京和美国加利福尼亚州圣何塞设有分公司。MDT拥有多项独特的专利技术和先进的制造能力，可批量生产高性能、低成本TMR磁传感器以满足严格的应用需求。多维科技的核心管理团队由磁传感器技术和工程服务领域的业内精英和资深专家组成。在核心团队的带领下，MDT致力于为客户带来更多附加值，并确保他们的成功。有关MDT详情，请访问：。

媒体联系人刘劲峰，电邮：，（美国），（中国）魏继烈，电邮：，（中国）


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